SBD120D1 Diodo de barrera de Schottky 200V Diodo de componente electrónico de voltaje inverso máximo repetitivo

Descripción del producto:

con una temperatura de funcionamiento entre -55 °C y +150 °C y una temperatura de almacenamiento entre -55 °C y +150 °C,Este diodo es muy fiable y puede soportar temperaturas extremas sin perder su funcionalidadTiene un máximo de voltaje inverso de pico repetitivo de 200 V, lo que lo hace adecuado para su uso en diversos diseños de circuitos.

Nuestro diodo de barrera Schottky tiene una corriente de fuga inversa de 30 μA en VRRM, lo que garantiza un rendimiento y una eficiencia óptimos.lo que lo convierte en una opción ideal para aplicaciones de alta corriente de oleaje hacia adelanteEste diodo es perfecto para su uso en diversas aplicaciones electrónicas, incluyendo fuentes de alimentación, reguladores de voltaje y convertidores CC-CC.

Además, este diodo tiene una clasificación típica de capacidad de unión de 85pF a VR = 0V, lo que lo convierte en una excelente opción para su uso en circuitos que requieren conmutación de alta velocidad y bajo ruido.Es un dispositivo semiconductor versátil y confiable que se puede utilizar en una amplia gama de aplicaciones electrónicas.

Nuestro Diodo de Barrera Schottky es un dispositivo semiconductor que es un componente esencial en varios diseños de circuitos.Es muy fiable y puede soportar temperaturas extremas sin perder su funcionalidadEste diodo tiene un máximo de voltaje inverso de pico repetitivo de 200 V, una corriente de fuga inversa de 30 μA en VRRM y una corriente rectificada media de 1 A,lo que lo hace ideal para aplicaciones de alta corriente de oleaje hacia adelanteAdemás, tiene una clasificación de capacidad de unión típica de 85pF a VR = 0V, lo que lo convierte en una excelente opción para su uso en circuitos que requieren conmutación de alta velocidad y bajo ruido.

Características:

• Nombre del producto: Diodo de barrera Schottky
• Temperatura de funcionamiento de las uniones y rango de temperatura de almacenamiento: -55 a +150°C
• Corriente de fuga inversa en VRRM: 30 μA
• Ventilación máxima inversa de pico repetitivo: 200 V
• Válvulas de carga de la corriente eléctrica
• Capacidad de unión típica a VR=0V: 85 pF
• Tipo de producto: Diodo electrostático
• Categoría de productos: Rectificadores de barreras de montaje de superficie Schottky
• Productos relacionados: Transistores de triodo de diodo

Parámetros técnicos:

Esta tabla muestra los parámetros técnicos de un rectificador de barrera de Schottky montado en la superficie. Tiene un voltaje máximo hacia adelante a IF=1A de 0,85V, una clasificación de capacidad de unión típica a VR=0V de 85pF,una corriente rectificada media de 1A, una corriente de fuga inversa a VRRM de 30 μA, un rango de temperatura de operación y de temperatura de almacenamiento de -55 a +150 °C, una tensión inversa máxima de pico repetitivo de 200 V,una tensión máxima RMS de 140V, y una tensión máxima de bloqueo de corriente continua de 200 V.

Aplicaciones:

El diodo de barrera de Schottky SBD120D1 es un diodo rectificador de puente que está diseñado para manejar una corriente rectificada promedio de 1A. Tiene una capacidad de unión típica de 85pF a VR = 0V,que lo hace adecuado para aplicaciones que requieren velocidades de conmutación rápidasEste componente electrónico de diodo puede funcionar en un amplio rango de temperatura de -55 a +150°C, lo que lo hace ideal para su uso en ambientes hostiles.

El máximo de voltaje inverso de pico repetitivo para el SBD120D1 Schottky Barrier Diode es de 200V, y tiene una corriente de fuga inversa de 30μA en VRRM.Esto lo convierte en una opción confiable para aplicaciones que requieren rectificación de alto voltaje y corriente de baja fuga.

El diodo de barrera SBD120D1 Schottky se usa comúnmente en varias aplicaciones, incluidas fuentes de alimentación, cargadores de baterías, reguladores de voltaje y convertidores CC-CC.También es adecuado para su uso en amplificadores de audio, detectores de RF y mezcladores.

En general, el diodo de barrera SBD120D1 Schottky es un diodo de componentes electrónicos de alta calidad que ofrece un rendimiento confiable y una amplia gama de aplicaciones.Sus certificaciones y fabricación rentable lo convierten en una opción ideal para los fabricantes que buscan un componente electrónico de diodos confiable y rentable.

Personalización:

- Lugar de origen: Shenzhen, China

- Certificación: REACH, RoHS, ISO

- Cantidad mínima de pedido: 3000 PCS/REL

- Detalles del embalaje: por bobina de plástico de 7 pulgadas

- Máxima tensión inversa de pico repetitivo: 200V

- Voltagem máxima RMS: 140V

- Rango de temperatura de las juntas de funcionamiento y de almacenamiento: -55 a +150 °C

- Capacidad de unión típica a VR=0V: 85 pF

- Corriente de fuga inversa en VRRM: 30 μA

Este producto es un semiconductor de alta corriente de sobretensiones y diodo electrostático.

Preguntas frecuentes:

P: ¿Cuál es el nombre de marca de este producto de diodo de barrera Schottky?

R: La marca de este producto es Socay.

P: ¿Cuál es el número de modelo de este Diodo de Barrera Socay Schottky?

R: El número de modelo de este producto es SBD120D1.

P: ¿Dónde se fabrica este Diodo de Barrera Socay Schottky?

R: Este producto se fabrica en Shenzhen, China.

P: ¿Qué certificaciones tiene este Diodo de Barrera Socay Schottky?

R: Este producto tiene las siguientes certificaciones: REACH, RoHS e ISO.

P: ¿Cuál es la cantidad mínima de pedido para este Diodo de Barrera Socay Schottky?

R: La cantidad mínima de pedido para este producto es de 3000 PCS/REEL.

P: ¿Cómo está empaquetado este Diodo de Barrera Socay Schottky?

R: Este producto está envasado en bobinas de plástico de 7 pulgadas.