20VRRM Diodo de barrera Schottky SS32B Montado en la superficie VRMS 14V SMB

3 000 unidades
MOQ
negotiable
Precio
20VRRM Diodo de barrera Schottky SS32B Montado en la superficie VRMS 14V SMB
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Caracteristicas
Especificaciones
Nombre del producto: Diodo de barrera de Schottky
Paquete del producto: DO-214AA/SMB
Producto máximo. VRRM: 20 V
Máximo VRMS: 14V
VDC máximo: 20 V
Max. IF (AV): 3A
IFSM: Las demás:
TJ: -55 a +125℃
Resaltar:

Diodo de barrera de Schottky SS32B

,

Diodo de barrera Schottky para SMB

,

Se trata de la siguiente serie:

Información básica
Lugar de origen: Shenzhen, Guangdong, China
Nombre de la marca: SOCAY
Certificación: REACH,RoHS,ISO
Número de modelo: Se trata de la siguiente serie:
Pago y Envío Términos
Tiempo de entrega: 5 a 8 días hábiles
Descripción de producto

20VRRM Diodo de barrera de Schottky SS32B Montaje de superficie VRMS 14V SMB paquete

 

Diodo de barrera de Schottky HOJA DE DATOSEl equipo de seguridad de los EE.UU. está a punto de lanzar un nuevo sistema de seguridad.1.pdf

 

 

Características del diodo de barrera de Schottky SS32B:

  • Diodo de barrera de Schottky SS32B El paquete de plástico tiene una clasificación de inflamabilidad de laboratorio de Underwriters 94V-0.
  • Las aplicaciones montadas en superficie son para optimizar el espacio de la tabla.
  • Diodo de barrera de Schottky SS32B tiene baja pérdida de energía, alta eficiencia.
  • Su compuesto de moldeo verde según la norma IEC 61249.

  • Una buena capacidad de oleaje.
  • SS32B libre de plomo y conforme con la normativa RoHS de la UE 2.0.

 

Los datos mecánicos del diodo de barrera de Schottky SS32B:

 

  • En el caso de los vehículos de la categoría M1 y N1, el valor de los valores de los valores de los vehículos de la categoría M1 y N2 es el valor de los valores de los valores de los valores de los valores de los valores de los valores de los valores de los valores de los valores de los valores de los valores de los valores de los valores de los valores de los valores de los valores de los valores de los valores de los valores de los valores de los valores de los valores de los valores de los valores de los valores de los valores de los valores de los valores de los valores de los valores de los valores de los valores de los valores de los valores de los valores de los valores de los valores de los valores de los valores de los valores de los valores de los valores de los valores de los valores de los valores de los valores de los valores de los valores de los valores de los valores de los valores de los valores de los valores de los valores de los valores de los valores de los valores de los valores de los valores de los valores de los valores de los valores de los valores de los valores de los valores de los valores de los valores de los valores de los valores de los valores de los valores de los valores de los valores
  • Las terminales: soldadas, soldables según MIL-STD-750, Método 2026.
  • Diodo de Barrera Schottky Aproximado Peso: 0,0032 onzas, 0,092 gramos.

  • Polaridad: la banda de color denota el extremo del cátodo.
  • Diodo de barrera de Schottky Envasado estándar: cinta de 12 mm (EIA-481).

 

 

Características eléctricas y térmicas del diodo de barrera de Schottky SS32B:

Parámetro El símbolo Se trata de la siguiente serie: Se trata de la SS33B. Se trata de las siguientes: Se trata de la SS35B. Sección 3 Sección 38B Se trata de las siguientes categorías: Se trata de las siguientes categorías: Se trata de un sistema de control de la calidad. Unidad
Diodo de barrera Schottky Max. VRRM El VRRM 20 30 40 50 60 80 100 150 200 V.
Diodo de barrera de Schottky Máxima tensión RMS El VRMS 14 21 28 35 42 56 70 105 140 V.
VDC máximo VDC 20 30 40 50 60 80 100 150 200 V.
Diodo de barrera de Schottky máximo. Corriente media hacia adelante IF ((AV) 3 A. No
Corriente de oleaje de punta hacia adelante: 8.3 ms de media onda sinusoidal única superpuesta a la carga nominal El IFSM 80 A. No
VF máxima a 3A (nota 1) VF 0.5 0.74 0.8 0.9 V.
Cantidad máxima de corriente inversa de CC a tensión de bloqueo de CC nominal TJ = 25°C IR 0.2 0.05 - ¿Qué es?
  TJ = 100°C   20 10  
Diodo de barrera de Schottky Resistencia térmica típica (Nota 2) RθJA 135 °C/W
  (Nota 3) RθJL 23  
Intervalo de temperatura de las uniones de funcionamiento y de almacenamiento

TJ, ¿qué quieres decir?

TSTG

-55 a +125 -55 a +150 -65 a +175 °C

Las notas:1. Prueba de pulso con PW=300μs, 2% de ciclo de trabajo.

2Montado en un PCB FR4, de cobre de un solo lado, mini pad.

3. Montado en un PCB FR4, de cobre de un solo lado, con un área de almohadilla de cobre de 100 cm2.

 

 

 

 

Las curvas de clasificación y características del diodo de barrera de Schottky SS32B:

Figo1Características típicas de los futuros:

20VRRM Diodo de barrera Schottky SS32B Montado en la superficie VRMS 14V SMB 0

 

Figura 2 Características típicas invertidas:

20VRRM Diodo de barrera Schottky SS32B Montado en la superficie VRMS 14V SMB 1

 

 

DO-214AA Dimensiones del paquete del diodo de barrera de Schottky SS32B:

 (Unidad: pulgadas))

20VRRM Diodo de barrera Schottky SS32B Montado en la superficie VRMS 14V SMB 2

 

 

 

Información del envase:

Número de la parte Paquete de componentes Cantidad Opción de embalaje
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape. Se aplicará el método de clasificación de los productos. 3 000 ejemplares por bobina de plástico de 13 pulgadas
    800 ejemplares por bobina de plástico de 7 pulgadas

 


 

 

 

20VRRM Diodo de barrera Schottky SS32B Montado en la superficie VRMS 14V SMB 3

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