nombre componente | Arrays de ESD |
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Paquete de componentes | Se puede utilizar para la fabricación de productos químicos |
El número máximo de unidades de producción | 2.8V |
Ir (tipo) | 0.1V |
Ir (máximo) | 1.0 μA |
Nombre del producto | Sustentadores de sobretensiones de tiristores (TSS) |
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el caso | DO-214AA/SMB |
VDRM (min.) | 190V |
IDRM | 5 μA |
Las emisiones de gases de efecto invernadero de los motores de combustión interna deberán ser iguale | 260V |
Conforme a las normas de Rohs | - ¿ Qué? |
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Paquete | SOD-523 |
Capacitancia de empalme | 15 pF |
Cantidad por carrete | 5,000PCS |
Voltado de funcionamiento | 5.0V |
El color | Negro |
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Voltaje de avería reverso | 5.5V |
Capacitancia de empalme | 75 PF |
Paquete | SOD-323 |
Conforme a las normas de Rohs | - ¿ Qué? |
Punto de trabajo | Diodos de TVS |
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Huella de huella | DO-214AA/SMB |
El Sr. | 200V |
Vbr@It (Min.) | 224V |
Vbr@It (máximo) | Las demás: |
Nombre de la SMAJ36A | Diodos de TVS |
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Tipo de paquete SMAJ36A | Se trata de una combinación de las siguientes características: |
Las pruebas de detección se realizarán en el laboratorio. | 36.0V |
Las pruebas de detección deben realizarse en un lugar de ensayo. | 40.00V |
Las pruebas de detección deben realizarse en un laboratorio de la Unión. | 44.20V |
Vc (tipo) (Ipp=1A) | 12.0V |
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Aplicaciones | Los dispositivos móviles y accesorios, interfaz visual digital (DVI), circuitos de RF, puertos de vi |
El número máximo de unidades de producción | 3.3V |
Conforme a las normas de Rohs | - ¿ Qué? |
Nombre del producto | SE03N6L01GZ ESD Matriz de baja capacidad Protección ESD Voltado de funcionamiento 3.3V |
Vbr | 6.0V |
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Rohs Compliant | Yes |
Package | SOT-26 |
Junction Capacitance | 1.0 PF |
Application | SIM Ports, USB 2.0 Power And Data Line Protection |
Vrwm-Reverse Breakdown Voltage | 12.0V |
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Marking Code | 712 |
Lead Soldering Temperature | 260℃(10sec) |
Rohs Compliant | Yes |
Package | SOT-23-3L Package |
Nombre del producto | Diodos de TVS |
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Tamaño del paquete | DO-218AB |
realidad virtual | 20 V |
Ir@Vr @25°C | 5 μA |
Ir@Vr @175°C | 150 μA |